IRF520N Transistor MOSFET Canal-N 100V @ 9.7A - (AD3736)

Descripción:

Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente, baja resistencia y rentabilidad. El paquete TO-220 se prefiere universalmente para todas las aplicaciones comerciales e industriales a niveles de disipación de energía. La baja resistencia térmica y el bajo costo del paquete TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria.

Características:

- Modelo: IRF520N

- Paquete / Cubierta: TO-220

- RoHS: Sí

- Polaridad del transistor N-Channel

- Voltaje drenaje-fuente: 100V

- Voltaje compuerta-fuente: 20V

- Corriente continua de drenaje: 9.7A

- Estilo de montaje: Through Hole

- Puerta de carga Qg: 16.7 nC

- Disipación de energía: 48 W

Hoja de datos