GT50JR22 IGBT Silicon N-Channel 600V @ 50A - (AD34493)

Descripción:

El GT50JR22 es un IGBT de canal N de 6.5.ª generación, diseñado para aplicaciones de conmutación de alto rendimiento. Integra un diodo de rueda libre monolíticamente en el chip IGBT, lo que permite un funcionamiento eficiente en rueda libre. En modo de mejora, este dispositivo ofrece un rápido tiempo de conmutación con un tiempo de caída típico (tf) de 0.05 µs a 50 A y un tiempo de recuperación inversa del diodo (trr) de 0.35 µs a 15 A. Su baja tensión de saturación de 1.55 V garantiza pérdidas de conducción reducidas, mientras que una temperatura máxima de unión de 175°C garantiza un funcionamiento fiable en condiciones exigentes. Clasificado para 600V y 50A, es ideal para una gestión de potencia robusta.

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