FQP2N60 N-Channel MOSFET 600V @ 2.4A - (AD79281)

Descripción:

Estos transistores de efecto campo de potencia canal-N de modo de mejora son producidos utilizando la tecnología de raya plana DMOS patentada de Fairchild. Esta avanzada tecnología ha sido especialmente diseñada para minimizar la resistencia en estado encendido y proporcionar una conmutación superior, dando un mejor rendimiento para un soporte de pulsos de alta energía en el modo de avalancha y conmutación. Estos dispositivos están bien adecuados para fuente de alimentación de modo conmutado de alta eficiencia.

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