IRF4905 Power MOSFET P-Channel -55V @ -74A - (AD78439)

Descripción:

HEXFET's de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr resistencia extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y diseño de dispositivo robusto de HEXFET Power MOSFET son bien conocidos, proporcionan al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.

El paquete TO-220 es universalmente preferido por todas las aplicaciones comerciales-industriales por los niveles de disipación de energía de aproximadamente 50 vatios. La baja resistencia  térmica y bajo costo del paquete del TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en todo la industria.

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