IRLZ44N N-Channel Power MOSFET 60V @ 35A - (AD4380)

Descripción:

El IRLZ44N es un transistor MOSFET de potencia de canal N diseñado específicamente para aplicaciones de conmutación rápida de alta corriente. A diferencia de los MOSFET convencionales, este componente es de Nivel Lógico (Logic-Level), lo que significa que su compuerta (Gate) puede activarse y saturarse por completo utilizando los voltajes bajos (3.3V o 5V) provenientes directamente de las salidas de microcontroladores y tarjetas de desarrollo como Arduino, ESP32, PIC, Teensy o Raspberry Pi, eliminando la necesidad de implementar circuitos driver intermedios.

Es un componente ideal para proyectos de robótica, automatización y control de potencia que requieran manipular cargas de corriente continua elevadas mediante señales digitales de baja energía.

Características:

• Tipo de Transistor: MOSFET Canal N.
• Voltaje Máximo Drenaje-Fuente: 60VDC.
• Corriente Continua de Drenaje Máxima: 47A (a 25°C).
• Voltaje Umbral de Compuerta: 1.0V a 2.0V (Voltaje de activación inicial).
• Baja Resistencia en Conducción: ~0.022 Ω (Optimizado para activarse eficientemente a 4V o 5V).
• Disipación de Potencia Máxima: 110W.
• Encapsulado: TO-220.
• Temperatura de Operación: -55 °C a 175 °C.
• Aplicaciones Comunes
  • Control de velocidad de motores de corriente directa (PWM).
  • Conmutación de tiras de luces LED de alta potencia.
  • Activación de solenoides, cerraduras electrónicas y relés de alta corriente.
  • Fuentes de alimentación conmutadas y sistemas de control automotriz.
• Notas de Aplicación para Prototipos
  • Cargas Inductivas: Al controlar motores o solenoides, se recomienda colocar un diodo de protección en paralelo con la carga (diodo Flyback) para evitar daños por contracorriente inducida.
  • Disipación Térmica: Si el circuito va a conmutar de forma continua corrientes superiores a los 5A - 10A, se requiere de forma obligatoria la instalación de un disipador térmico de aluminio.
  • Resistencias de Control: Se aconseja colocar una resistencia de compuerta en serie de 100 Ω a 220 Ω y una resistencia Pull-Down de 10 kΩ conectada de Gate a GND para evitar activaciones aleatorias durante el arranque del microcontrolador.

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