IRF1010 MOSFET N-Channel 60V @ 75A - (AD41436)

Descripción:

Este MOSFET de potencia HEXFET® utiliza las técnicas de procesamiento más avanzadas para lograr una resistencia de encendido extremadamente baja por área de silicio. Además, este diseño ofrece una temperatura de funcionamiento de la unión de 175 °C, una alta velocidad de conmutación y una resistencia a avalanchas repetitivas mejorada. Estas características lo convierten en un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para una amplia variedad de aplicaciones..

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