VP2106N3-G-ND P-Channel DMOS FET - (AD32978)

Descripción:

Este transistor de modo de mejora (normalmente desactivado) utiliza una estructura DMOS vertical y el probado proceso de fabricación de compuerta de silicio de Supertex. Esta combinación produce un dispositivo con la capacidad de gestión de potencia de los transistores bipolares, además de la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherentes a los dispositivos MOS. Como es característico de todas las estructuras MOS, este dispositivo está libre de fugas térmicas y ruptura secundaria inducida térmicamente. Los FET DMOS verticales de Supertex son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se requieren voltajes de umbral muy bajos, altos voltajes de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y altas velocidades de conmutación.

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