IRF3205 N-Channel Power MOSFET 55V @ 110A - (AD18027)

Descripción:

Los MOSFET de potencia HEXFET® avanzados de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de encendido por área de silicio extremadamente baja. Esta ventaja, combinada con la alta velocidad de conmutación y el diseño robusto por el que son conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para una amplia variedad de aplicaciones.

El encapsulado TO-220 es el preferido universalmente para todas las aplicaciones comerciales e industriales con niveles de disipación de potencia de hasta aproximadamente 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo coste del encapsulado TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria.

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